| Сопротивление : |
потерь прямое: не более 1,5 Ом |
| Частота : |
критическая: 100…450 ГГц |
| Заряд : |
накопленный: не более 3 нКл |
| Напряжение : |
пробивное: не менее 60 В |
| Емкость : |
корпуса: 0,4…1,5 пФ |
| Напряжение : |
постоянное обратное: не более 30 В |
| Ток : |
постоянный прямой: не более 150 мА |
| Мощность : |
постоянная рассеиваемая: не более 1 Вт |
| Мощность : |
импульсная рассеиваемая: не более 200 кВт |
| Рабочая температура : |
-60...+100°С |
| Вес : |
0,001 г |